2023年，因功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整引致供求关系变化，经历了两年高歌猛进的半导体行业进入下行周期，产品价格呈现明显下降趋势，给国内众多公司相关产品持续的市场化推广带来较大压力。与国外竞争对手的综合成本优势相比，国内掌握技术创新能力的企业在下行周期背景下的抗周期能力进一步凸显，长期助力公司规避市场波动带来的经营稳定性风险。

　　报告期内，公司市场均衡分布在新能源汽车、直流充电桩、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场，减小对单一市场及单一产品的依赖性，始终坚持以技术创新为驱动，持续提升产品性能，提高供货能力，不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续加大研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，有效保障产能供给，持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础，紧抓国产替代的历史机遇，继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域，长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。报告期内，公司独创结构的Tri-gateIGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。报告期内，公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局，在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得了较大的研发进展，其中，Si2CMOSFET持续出货，进入批量交付阶段。报告期内，公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成设计流片、可靠性评估工作，基于15V驱动平台的SiCMOSFET器件产品已经进入内部验证阶段。

　　报告期内，公司实现营业收入97,285.03万元，较上年同期减少12.86%；实现归属于上市公司股东的净利润14,002.50万元，较上年同期减少50.76%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润11,941.51万元，较上年同期减少55.41%。同时，公司主营业务收入分产品系列实现情况如下：（1）公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入80,558.52万元，较2022年同期减少11.87%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入12,807.17万元，较2022年同期减少17.72%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入2,988.55万元，较2022年同期减少33.01%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入860.34万元，较2022年同期增加321.14%；（5）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）报告期内实现营业收入70.45万元，约为2022年同期收入水平的533倍。2024年，东微半导主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。

　　2023年，公司在新能源汽车车载充电机、直流充电桩、工业及通信电源（含5G基站、数据中心以及服务器电源等）、光伏逆变及储能、工业照明、消费电子等领域持续发力。

　　新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪002594）、铁城信息、英搏尔300681）、欣锐科技300745）等公司应用于车载电子领域，公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号。随着新能源汽车高压平台车型陆续上市，渗透率不断提高，对于直流快充/超充桩/液冷终端需求也不断提升。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系，持续批量出货给客户A、特来电、永联科技、高斯宝、英飞源、优优绿能、阳光电动力等公司，保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长，继续批量出货给客户A、维谛技术、金升阳等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的公司；继续批量出货给客户A、昱能科技、禾迈股份、EnphaseEnergy、固德威、沃太能源、英威腾002334）、爱士惟等公司并应用于光伏逆变器及储能领域。报告期内，上述细分市场持续增加设计规格。

　　公司中低压屏蔽栅MOSFET持续批量出货给客户A、长晶科技、东科半导体、钰泰半导体、欧陆通300870）、芯朋微、美的股份、扬杰电子等公司应用于汽车、工业及消费电子设备领域，并且持续增加规格设计。

　　除此之外，公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体，继续批量出货给视源股份002841）、航嘉Huntkey等公司，并持续增加设计规格。批量出货给通用电气、明纬电子、崧盛股份301002）、茂硕电源002660）等客户。截止报告期末，公司已进入了OPPO、安克创新300866）等客户。

　　公司超级硅MOSFET器件主要应用于高密度电源领域，批量进入中车株洲、航嘉驰源、EnphaseEnergy、禾迈股份、首航新能源、拓邦股份002139）、金升阳等客户。

　　2023年，公司转换TGBT竞争策略，加大TGBT大功率产品研发投入力度，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作，获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。此外，公司TGBT产品在300KW以上的大功率储能应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650VHybrid-FET开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升，开发出1200V100A、140A和150A单管产品，可以替换国际领先的1200V产品。

　　公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。报告期末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。

　　公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。

　　报告期内，公司积极推进主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品平台的技术迭代升级，优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局，取得较好成效。进一步加大第三代半导体、半导体材料等前瞻性研发投入，取得突破性进展。公司高度重视技术团队的建设，报告期内进一步扩充研发团队。截至2023年12月31日，公司研发部共拥有65名研发人员，合计占员工总数比例为50.39%。在研发投入方面，报告期内，公司的研发费用投入为8,505.02万元，同比增长54.84%。高效的研发团队与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。

　　综上，2023年，公司主营产品技术迭代升级有序进行，新产品开发稳步推进。报告期内研发经费、研发人员数量、专利数量、新品开发数量快速增加。同时，公司的研发管理体系与质量体系进一步健全，报告期内多个数字化系统上线，研发效率持续提升。

　　报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。为了积极响应第三代半导体的发展趋势，公司新开拓SiC供应商长飞先进、积塔半导体等公司进行SiC二极管、Si2CMOSFET以及SiCMOSFET的合作开发，保障公司的第三代半导体产品系列研发有序推进以及供应产能的稳步增长。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。

　　公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。2023年度，上述投资项目业务进展顺利，中长期有利于提升与东微半导的产业链协同效应，实现协同发展，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。

　　公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET产品具有低导通电阻、车规级高可靠性，已完成设计流片、可靠性评估工作。此外，公司基于自主专利技术开发出的Si2CMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。

　　公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

　　公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。

　　公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。

　　公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与栅器件的优。